- 英特爾、台積電和三星正在爭奪最先進的 High NA EUV 設備，以搶占先進半導體製程的領先地位。
- 英特爾計劃率先將 High NA EUV 設備投入生產，而台積電則將其用於研究，三星則預計在今年底獲得第一台設備。
- High NA EUV 設備的導入將推動半導體產業走向更精密的製程，這場軍備競賽的結果將影響未來半導體產業的發展趨勢。
半導體軍備競賽白熱化！英特爾、台積電、三星爭搶高 NA EUV 設備. Photos provided by unsplash
台積電、英特爾、三星這三家半導體巨頭在埃米製程領域的激烈競爭，正進入白熱化階段。今年底前，這三家公司都將引進最先進的 High NA EUV 設備，展開新一輪的軍備賽。
英特爾率先宣布取得多台 High NA EUV 設備，並已開始安裝，更宣稱將成為業界最快導入相關機台的廠商。英特爾計劃在 Intel 14A 製程中使用 High NA EUV 設備。
台積電則計劃在 2024 年擁有 High NA EUV 設備，但目前尚未計劃使用該設備進行量產，主要用於研究。台積電資深副總暨副共同營運長張曉強表示，「台積電 2024 年會擁有 High NA EUV 設備，但還不準備運用新設備來生產，主要使用目的是跟夥伴進行研究。」
台積電預計在 2026 年下半年量產 A16 製程，並將率先在台灣投產。張曉強強調，「相信台積研發團隊會做出最好的決定，在何時何處選擇下一代 EUV 來應用。」
三星原計劃在明年取得 High NA EUV 設備，但目前加快了腳步，預計在今年底取得第一台設備，將用於華城廠區的半導體研究應用。南韓媒體披露，三星正加快導入 High NA EUV 設備腳步，預計今年底就會取得第一部機台。
艾司摩爾 (ASML) 作為 High NA EUV 設備的唯一供應商，計劃今年至少生產五到六台設備。英特爾可能取得大部分設備，預計在 2027 年啟用。台積電確保今年至少保有一台設備，SK 海力士則計劃明年導入 EXE:5200 版本。
High NA EUV 設備是埃米製程中不可或缺的設備，可以生產更精細的晶片，這也是半導體產業競爭的重要因素。一台 High NA EUV 設備要價約 4 億歐元（約新台幣 143 億元）。
三家公司在埃米製程中展開競爭，展現了產業的激烈競爭態勢。高數值孔徑極紫外光顯影設備 (High NA EUV) 的導入，代表著半導體產業向更先進的技術發展。報導中涵蓋了三家公司的不同策略和發展方向，展现了不同的競爭思路。
這場軍備賽的結果將會影響未來半導體產業的發展趨勢，也將決定三家公司的未來命運。