• 鴻海研究院與陽明交大在氧化鎵 (Ga2O3) 技術上取得重大突破,提升其在高壓、高溫應用領域的性能。
  • 研究團隊導入離子注入技術,成功提升氧化鎵的耐壓性能,為高功率電子元件發展帶來新可能性。
  • 此突破將有助於台灣在全球化合物半導體產業中爭取領先地位,也為未來高壓半導體應用開創新的可能。
氧化鎵技術突破!鴻海與陽明交大攜手提升高壓耐受性能,助攻台灣化合物半導體產業

氧化鎵技術突破!鴻海與陽明交大攜手提升高壓耐受性能,助攻台灣化合物半導體產業. Photos provided by unsplash

鴻海研究院與陽明交大在第四代半導體氧化鎵 (Ga2O3) 技術上取得重大突破,提升了氧化鎵在高壓、高溫應用領域的性能,為未來高功率電子元件發展帶來新的可能性,也為台灣在全球化合物半導體產業中爭取領先地位。

鴻海研究院半導體所所長暨國立陽明交通大學講座教授郭浩中教授領導的團隊與陽明交大電子所洪瑞華教授團隊共同進行這項研究。他們導入離子注入技術於異質磊晶生長的同質結氧化鎵PN二極體元件中,成功提升了氧化鎵在高壓、高溫應用領域的高壓耐受性能。

氧化鎵 (Ga2O3) 作為第四代化合物半導體材料,具有高禁帶寬、高擊穿電場、高電子遷移率等優點,在高壓及高溫應用領域具有強大潛力。目前,中國、日本和美國在氧化鎵研究領域處於領先地位,日本已實現 4 英寸和 6 英寸氧化鎵晶圓的產業化。

鴻海表示,這項研究成果已發表於國際頂級材料科學期刊「Materials Today Advances」。Materials Today Advances 在 2023 年的影響力指數達到 10.25,並在材料科學領域的 SJR (Scimago Journal & Country Rank) 中排名前 25%,該期刊已成為促進全球科學家和工程師之間知識傳播與學術交流的重要平台。

鴻海研究院強調,這項技術突破將為台灣在全球化合物半導體產業中的領先地位增添優勢,也為未來的高壓半導體應用開創新的可能,也再次證明了鴻海在技術創新和產業發展上的卓越能力。

By 張宇翔

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