- 英特爾率先導入 High NA EUV 設備，成為業界焦點，但高昂成本和技術挑戰成一大隱憂。
- 業界專家分析，導入 High NA EUV 設備的關鍵在於成本效益和客戶接受度，台積電強調會根據實際需求評估導入時機。
- 英特爾此舉是否能快速轉為獲利，並推動半導體產業進展，還需要時間觀察。
英特爾領跑 High NA EUV 技術，先用不見得先贏. Photos provided by unsplash
英特爾宣佈率先導入 High NA EUV 設備，引發業界關注，但分析認為「先用不見得先贏」，關鍵在於顧客的接受程度和成本轉換的獲利能力。
導入 High NA EUV 設備是半導體產業持續推進先進製程的必要措施，然而，高昂的成本和技術挑戰是各廠導入時的重要考量因素。據悉，High NA EUV 設備的價格高達 4 億歐元，是目前 EUV 設備的 1.66 倍，而這只是設備成本，後續光罩的成本更不容小覷，業界估計一片光罩模具的成本恐高達 1,000 萬元。
業界人士分析，除了設備和光罩成本之外，導入 High NA EUV 設備的技術挑戰也不容忽視，若要成功導入並應用，必須克服許多技術瓶頸。此外，業界也憂心導入後，製程成本的增加，將大幅提高晶圓代工的價格。目前，2 奈米晶圓代工的報價恐高達 3 萬美元，較 3 奈米近約 2 萬美元成長 50%，而 1 奈米以下製程的報價恐上看 5-6 萬美元。高昂的成本恐將導致客戶接受度降低，影響市場需求。
對於英特爾的率先導入，業界人士持保留態度。有人認為，儘管英特爾率先導入 High NA EUV 設備，但能否成功應用于實際生產，能否快速轉為獲利，還需要時間證明。也有人認為，高昂的成本和技術挑戰，可能會讓英特爾面臨更大的風險，並非每家廠商都能像英特爾一樣財大氣粗，負擔得起導入的成本。
台積電何時導入最新設備是市場焦點，業界分析，台積電會根據市場需求和成本效益評估導入時機，並不會盲目跟進。台積電也強調，導入 High NA EUV 設備的關鍵是降低成本，提升良率，並確保客戶的接受度。
總而言之，英特爾率先導入 High NA EUV 設備，顯示了其在半導體先進製程的領先地位，但也面臨著高昂的成本和技術挑戰。能否成功應用于實際生產，能否快速轉為獲利，還需要時間證明。而對於整個半導體產業來說，導入 High NA EUV 設備是一個重要的趨勢，但如何平衡成本、效益和技術挑戰，需要各廠商的共同努力。